廣東愛晟電子科技有限公司生產(chǎn)的單層芯片電容，適用于高頻、微波、小型、微型化的場(chǎng)合，如微波功率放大器、混合集成電路模塊、手機(jī)電路模塊、無(wú)線電微波通訊模塊等，是商用、民用的高可靠性芯片電容。

在現(xiàn)有加工工藝中，單層芯片電容一般采用厚膜印刷技術(shù)、層迭、切割、共燒的工藝，因此也會(huì)存在電極間的連接不夠可靠的質(zhì)量隱患。因此，制造一款高可靠單層芯片電容可以使其利用率更高。愛晟電子為大家介紹一款單層芯片電容，其諧振頻率高、精度高。具體的加工工藝包括以下步驟：

一、將準(zhǔn)備金屬化的陶瓷介質(zhì)基片在酒精中進(jìn)行超聲波清洗，然后干燥；

二、將基片上下兩個(gè)表面均用濺射工藝在真空或氣體保護(hù)下進(jìn)行濺射金屬化處理；

三、將金屬化后的基片進(jìn)行光刻處理，以制版后得到的負(fù)片為模板，通過(guò)光刻技術(shù)在金屬化后的基片上制作有保護(hù)性區(qū)域的精細(xì)的圖案；

四、將基片進(jìn)行常規(guī)電鍍、腐蝕、沖洗工藝處理，使基片的上下表面形成許多相同或?qū)ΨQ的金屬化的圖案；

五、將基片用熱塑性粘合劑粘貼在基板上，然后用精密切割機(jī)床按照所需的尺寸進(jìn)行切割； 

六、將切割后的基板用酒精或熱水進(jìn)行溶洗，使粘貼在基板上的基片與基板分離，分離出的基片即為具有上、下金屬電極的單層芯片電容；

七、將單層芯片電容進(jìn)行清洗，并在100~150℃烘干15~60分鐘，在室溫下放置24小時(shí)后進(jìn)行電性能測(cè)試。

其中，金屬化處理采用的金屬化材料是單一的金屬或合金；另外，金屬化處理是在基片上濺射至少一層金屬材料。

金屬材料包括鈦、鎢、鉑、鈷、銅、鎳、鈀、金、錫中的至少一種或它們之間任意組合的至少一種合金。

光刻處理是用類似照片處理的曝光、顯影過(guò)程進(jìn)行處理。

電鍍工藝所采用的鍍材是金、鎳、銅、錫、錫合金中的任意一種。

基板是鋼或鋁的金屬基板。

高可靠單層芯片電容具有以下優(yōu)點(diǎn)：

一、以真空高能濺射方式將金屬原子在高能電場(chǎng)下直接附著于陶瓷介質(zhì)表面，克服了厚膜印刷電路方式所存在的中間過(guò)渡層或者穿孔連接不可靠等問(wèn)題。因此得到的芯片電容串聯(lián)等效電阻低，在微波高頻下的性能好。

二、采用先進(jìn)的光刻技術(shù)，因此所制得的芯片電容精度高。

三、與多層芯片電容相比，單層芯片電容避免了介質(zhì)層間形成的電流回路，在微波使用時(shí)具有更低的串聯(lián)等效電阻值和更高的品質(zhì)因數(shù)。





參考數(shù)據(jù)：

CN1601673A《單層電容器元件的制備方法》