廣東愛晟電子科技有限公司生產(chǎn)的SLC單層芯片電容具有尺寸小、厚度薄、等效串聯(lián)電阻低、損耗低的優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用頻率可達(dá)數(shù)GHz，適用于小型、微波的場合，可應(yīng)用于微波集成電路中，起到隔直流、RF旁路、濾波、調(diào)諧等作用。

SLC單層芯片電容的介質(zhì)陶瓷基片是由陶瓷生坯經(jīng)高溫?zé)Y(jié)致密化而成，燒結(jié)時(shí)生坯會(huì)發(fā)生收縮，其收縮率可達(dá)17％~20％。燒結(jié)過程中的收縮應(yīng)力會(huì)使基片翹曲，導(dǎo)致后續(xù)加工如電極被覆、二次切割等無法進(jìn)行，使產(chǎn)品不良率增加。為了獲得平整度高、電氣性能良好的單層芯片電容，就需要一套提高良品率的工藝流程，具體的步驟如下：

一、將陶瓷粉末與粘合劑、溶劑混合配制成陶瓷漿料，將陶瓷漿料流延并烘干得到陶瓷膜片；

二、按設(shè)計(jì)厚度堆疊陶瓷膜片形成厚膜并用等靜壓機(jī)將其壓合后按一定尺寸切割得到方形的基片生坯；

三、將基片生坯高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷基片；

四、在基片上濺射形成金屬電極并將基片二次切割，制得單層芯片電容。

其中，基片生坯堆疊燒結(jié)的過程為制備多個(gè)基片生坯及多個(gè)氧化鋯膜，將若干個(gè)生坯和氧化鋯膜交替地自然堆疊并裝缽于氧化鋯板上進(jìn)行燒結(jié)得到?；髋c氧化鋯膜自然堆疊，相互之間沒有粘接，燒結(jié)時(shí)各基片生坯能夠自由收縮。收縮應(yīng)力產(chǎn)生沒有疊加且應(yīng)力較小，氧化鋯膜也不會(huì)對基片生坯的收縮產(chǎn)生抑制，因此得到平整無裂片的基片，且氧化鋯膜容易從基片上分離。采用該燒制方法，燒結(jié)基片生坯在達(dá)到生坯開始收縮的溫度后，按2℃/min的速率緩慢升溫至最高燒結(jié)溫度，可制得平整度高且電氣性能良好的陶瓷基片，制得的SLC單層芯片電容電容量集中、損耗低、絕緣性能好。





參考數(shù)據(jù)：

CN105632758A《一種陶瓷電容器用陶瓷基片燒制方法》