SLC單層芯片電容具有體積小、容量大、應(yīng)用頻率高等特點，被廣泛應(yīng)用于電子、雷達(dá)、導(dǎo)航和衛(wèi)星通訊等方面。傳統(tǒng)的單層芯片電容中間為介質(zhì)層，上下各一層電極層，下電極采用金錫合金或鉛錫合金等焊料焊接于電路中，上電極采用金絲鍵合技術(shù)與其他電路元件相連。

目前，單層芯片電容金錫焊料的制備工藝，要么材料利用率低，大大增加了生產(chǎn)成本；要么工藝難度系數(shù)高，對電鍍槽液成份和溫度的控制要求很高，并且存在電鍍液污染等問題，很難滿足環(huán)保要求。為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，廣東愛晟電子科技有限公司介紹一款帶有金錫焊料的單層芯片電容，其包括金錫焊料層、下電極層、介質(zhì)層、上電極層。該芯片電容可提高封裝效率，降低封裝成本；工藝簡單，速度可控，生產(chǎn)成本低；全程無污染，而且所制成的金錫焊料在高溫焊接時性能優(yōu)良，保證了產(chǎn)品的穩(wěn)定性，適用于工業(yè)化生產(chǎn)。

帶有金錫焊料的單層芯片電容的具體制備步驟如下：

一、制備陶瓷基片并清洗烘干；

二、采用蒸鍍或濺射的方式在陶瓷基片上下表面形成電極層；

三、將形成上下電極的陶瓷基片放入真空濺射機內(nèi)，采用直流濺射的方式濺射金錫焊料層，基片采用自轉(zhuǎn)和公轉(zhuǎn)方式；

四、濺射金錫焊料層，靶材采用金與錫的質(zhì)量比為80：20的金錫合金，腔體加熱溫度為100~500℃，真空度為10-6-10-7mTorr，功率為500W~4000W，時間為50s~1000s，采用X光機或臺階儀監(jiān)測濺射膜厚，同時采用在線監(jiān)測系統(tǒng)實時監(jiān)測濺射膜厚；

五、根據(jù)不同陶瓷基片性能的要求，部分基片只需在上電極或下電極表面單面濺射金錫焊料層，部分基片需正反兩面濺射；

六、金錫焊料層濺射完畢后關(guān)掉加熱裝置，充入氣體，取出半成品；

七、將半成品進(jìn)行常規(guī)的光刻、刻蝕、電鍍、清洗等工藝處理；

八、切割、測試、分選；

九、產(chǎn)品包裝。





參考數(shù)據(jù)：

CN110400696A《一種帶有金錫焊料的單層電容器的制造工藝》