SLC單層芯片電容是由陶瓷介質(zhì)及金屬電極兩種材料構(gòu)成，廣東愛晟電子科技有限公司生產(chǎn)的單層芯片電容，主要應(yīng)用于微波集成電路、光通訊等，起隔直流、源旁路、阻抗匹配等作用。在芯片電容工作過程中，或受外因或受內(nèi)因，會(huì)導(dǎo)致失效的情況出現(xiàn)，一般會(huì)有以下三種失效形式：

一、熱擊失效

在芯片電容制造過程中，使用各種兼容材料會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部出現(xiàn)張力的不同熱膨脹系數(shù)及導(dǎo)熱率，當(dāng)溫度轉(zhuǎn)變率過大時(shí)就容易出現(xiàn)因熱擊而破裂的現(xiàn)象。而熱擊失效則可能造成多種現(xiàn)象：

（1）顯而易見的形如指甲狀或U形裂縫

（2）隱藏在內(nèi)的微小裂縫

兩者的區(qū)別在于后者所受的張力較小，而引致的裂縫也較輕微。第一種引起的破裂明顯，一般可以在金相顯微鏡中測(cè)出，第二種只有在發(fā)展到一定程度后金相顯微鏡才可測(cè)出。

二、破裂失效

（1）SMT階段導(dǎo)致的破裂失效

在SMT階段時(shí)，取放單層芯片電容的機(jī)械爪可能會(huì)因?yàn)槟p、對(duì)位不準(zhǔn)確、傾斜等，導(dǎo)致芯片電容破裂。這些破裂現(xiàn)象一般為可見的表面裂縫；表面破裂一般會(huì)沿著最強(qiáng)的壓力線及陶瓷位移的方向。

（2）SMT之后生產(chǎn)階段導(dǎo)致的破裂失效

電路板切割﹑測(cè)試﹑背面組件和連接器安裝以及最后組裝時(shí)，若焊錫組件受到扭曲或在焊錫過程后把電路板拉直，都有可能造成損壞。

三、原材失效

芯片電容通常具有兩種足以損害產(chǎn)品可靠性的基本可見內(nèi)部缺陷：

（1）電極間失效及結(jié)合線破裂

電極間失效及結(jié)合線破裂主要由陶瓷的高空隙，或電介質(zhì)層與相對(duì)電極間存在的空隙引起，使電極間電介質(zhì)層裂開，成為潛伏性的漏電危機(jī)。

（2）燃燒破裂

燃燒破裂的特性與電極垂直，且一般源自電極邊緣或終端；若顯示出破裂是垂直的，則是由燃燒所引起。

參考數(shù)據(jù)：

面包板社區(qū)《【干貨】深度解析MLCC電容失效原因》