IGBT作為目前主流的半導(dǎo)體功率器件，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、航天航空、可再生能源等領(lǐng)域。在實(shí)際應(yīng)用中，IGBT模塊的工作環(huán)境幾乎都處于高溫狀態(tài)，因此大部分模塊都會(huì)采用NTC熱敏電阻進(jìn)行溫度保護(hù)及溫度監(jiān)測(cè)，以防過(guò)溫導(dǎo)致IGBT模塊的失效。

考慮到IGBT模塊長(zhǎng)時(shí)間且高溫的工作環(huán)境，一般選取MELF貼片玻封NTC熱敏電阻（工作溫度范圍：-40℃~250℃），以保證IGBT內(nèi)部結(jié)溫監(jiān)測(cè)工作的順利開展。除此之外，在IGBT模塊中應(yīng)用MELF貼片玻封NTC熱敏電阻還有以下優(yōu)點(diǎn)：

一、IGBT模塊內(nèi)部布局較緊湊，無(wú)引線結(jié)構(gòu)能更好地配合IGBT內(nèi)部其它元器件的安裝；

二、片式結(jié)構(gòu)使MELF貼片玻封NTC熱敏電阻盡可能地靠近被測(cè)器件，可確保測(cè)溫過(guò)程的高精準(zhǔn)度；

三、玻璃封裝的防潮性能相較于其它封裝方式更好，在IGBT高溫高濕的工作環(huán)境也能發(fā)揮熱敏電阻優(yōu)良的負(fù)溫度特性。

隨著功率器件研發(fā)技術(shù)的日趨成熟以及應(yīng)用場(chǎng)景的不斷拓寬，比IGBT模塊技術(shù)性能更優(yōu)越的SiC碳化硅模塊應(yīng)運(yùn)而生。SiC碳化硅模塊之所以比IGBT模塊更受青睞，是因?yàn)槠溟_關(guān)頻率更高、開關(guān)損耗更低、熱力性能更好，顯著提升的產(chǎn)品應(yīng)用的工作效率。為配合制造廠商進(jìn)行模塊更新?lián)Q代，廣東愛晟電子科技有限公司推出了自主研發(fā)的新產(chǎn)品——門極電阻。其分為垂直式以及水平式，可實(shí)現(xiàn)垂直導(dǎo)通和水平導(dǎo)通兩種結(jié)構(gòu)，相較于MELF貼片玻封NTC熱敏電阻，安裝位置的選擇更靈活。固定電阻還擁有良好的穩(wěn)定性，使SiC碳化硅模塊中的實(shí)時(shí)結(jié)溫?cái)?shù)據(jù)獲取過(guò)程能更平穩(wěn)。