IGBT屬于功率半導器件中的一種，其具有導通電阻小、頻率高、散熱穩(wěn)定、節(jié)能等特點，被廣泛應用于航天航空、電動汽車、新能源裝備、消費電子、家用電器等領域。在IGBT工作過程中，為防止IGBT的工作溫度過高，出現(xiàn)意外導致?lián)p壞，通常會安裝一個NTC熱敏芯片來進行溫度監(jiān)測。

功率半導體器件（Power Semiconductor Device）是電力電子裝置實現(xiàn)電能轉換、電源管理的核心器件，又稱為電力電子器件（Power Electronic Device），主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，兼具節(jié)能功效。功率半導體器件被廣泛應用于移動通訊、消費電子、電動車、軌道交通、工業(yè)控制、發(fā)電與配電等電力電子領域，主要分為功率分立器件、功率集成電路（即Power IC / PIC，又稱為功率IC）和功率模組三類。

為了適應應用領域的廣泛化與應用形式的精密化，功率半導體從結構、技術、工藝及材料等多方面都有了全面的提升。從功率半導體的發(fā)展路徑來看，更高功率密度，更小的體積，更低的功耗及損耗是其技術演進的重點方向。

結構上，從晶閘管等半控型器件，到門極可關斷晶閘管GTO、電力雙極型晶體管BJT、電力場效應晶體管功率MOSFET為代表的全控型器件，半導體的演進過程中經(jīng)過大規(guī)模的基本設計更改。例如，IGBT比MOSFET多一層P+區(qū)，通過P層空穴的注入能夠降低器件的導通電阻。隨著電壓的增大，MOSFET的導通電阻也變大，因而其傳導損耗比較大，尤其是在高壓應用場合中，相較而言，IGBT的導通電阻較小，傳導損耗也相對較小。

集成調整上，集成電路的技術促進了器件的小型化和功能化，為發(fā)展高頻電力電子技術提供了條件。如，功率模塊就可將多個功率器件封裝在一起，這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作，而電路在高頻工作時能更節(jié)能、節(jié)材，能大幅減少設備體積和重量。

材料迭代，近年來隨著Si材料電力電子器件逐漸接近其理論極限值，利用寬禁帶半導體材料制造的電力電子器件顯示出比Si更優(yōu)異的特性，給電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來了新的生機。相對于Si材料，使用寬禁帶半導體材料制造新一代的電力電子器件，可以變得更小、更快、更可靠和更高效。這將減少電力電子元件的質量、體積以及生命周期成本，允許設備在更高的溫度、電壓和頻率下工作，使得電子電子器件使用更少的能量卻可以實現(xiàn)更高的性能。

廣東愛晟電子科技有限公司生產(chǎn)的IGBT熱敏芯片，因其精度高（精度可達±0.5%、±1%、±2%、±3%）、反應快速、穩(wěn)定性高，在IGBT模塊中擔任不可或缺的角色，起到溫度監(jiān)測、溫度控制的作用。