NTC熱敏芯片因其電阻值隨溫度變化而變化的特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于溫度監(jiān)測(cè)、溫度控制、溫度補(bǔ)償?shù)雀鞣N場(chǎng)合，在IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中擔(dān)任舉足輕重的角色。IGBT因其具備高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)，目前已成為發(fā)展迅速的電力電子器件之一，并逐步替代晶體閘流管和門(mén)極可關(guān)斷晶閘管（Gate-Turn-Off Thyristor）。IGBT具有易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開(kāi)關(guān)頻率高 (10-40 kHz) 等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于小體積、高效率的變頻電源、電機(jī)調(diào)速、 UPS 及逆變焊機(jī)當(dāng)中。

IGBT是由柵極（G）、發(fā)射極（E）和集電極（C）三個(gè)極控制。其工作原理是通過(guò)加正向柵極電壓以形成溝道，給PNP（Plug-and-Play，即插即用）晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通；反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。如果在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET，Metal Oxide Semiconductor Filed Effect Transistor）便會(huì)導(dǎo)通，而PNP晶體管的集電極與基極之間成為低阻狀態(tài)，使得晶體管導(dǎo)通。如果IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管便會(huì)導(dǎo)通便會(huì)被截，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。

如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的驅(qū)動(dòng)電壓過(guò)低，會(huì)導(dǎo)致IGBT工作不穩(wěn)定；如果驅(qū)動(dòng)電壓過(guò)高，甚至超過(guò)柵極—發(fā)射極之間的耐壓，則有機(jī)會(huì)導(dǎo)致IGBT永久損壞。同樣，如果IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓超過(guò)允許值，則流過(guò)IGBT的電流會(huì)超限，導(dǎo)致IGBT的結(jié)溫超過(guò)允許值，也會(huì)有機(jī)會(huì)導(dǎo)致IGBT永久損壞。此時(shí)，我們就需要用到指針式萬(wàn)用表來(lái)判斷IGBT是否受損。具體的操作如下：

首先，將萬(wàn)用表?yè)艿?/span>R×10KΩ檔（R×1KΩ檔時(shí)，內(nèi)部電壓過(guò)低，不足以使IGBT導(dǎo)通），用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發(fā)射極（E），此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位；

然后，用手指同時(shí)觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時(shí)IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針明顯擺動(dòng)并指向阻值較小的方向并能維持在某一位置；

接著，再用手指同時(shí)觸及一下柵極（G）和發(fā)射極（E），這時(shí)IGBT被阻斷，萬(wàn)用表的指針回零。

在檢測(cè)中，如出現(xiàn)以上現(xiàn)象均表示IGBT并無(wú)受損，否則該IGBT存在問(wèn)題。

廣東愛(ài)晟電子科技有限公司生產(chǎn)的IGBT用高可靠NTC熱敏芯片，因其耐高溫、高精度（精度可達(dá)±0.5%、±1%、±2%、±3%）、快速反應(yīng)等特點(diǎn)，在IGBT模塊中起到不可或缺的作用。

參考數(shù)據(jù)：

微信公眾號(hào) 電子電路設(shè)計(jì)《IGBT場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理以及極性判斷、好壞判斷方法》