應(yīng)用于IGBT的NTC熱敏芯片于散熱方面的重大突破

“中國制造2025”發(fā)展規(guī)劃頒布后，工業(yè)智能化和綠色化發(fā)展成為主題，因此，智能控制和IGBT等功率半導(dǎo)體是發(fā)展的關(guān)鍵。目前，中國是世界上最大的IGBT消費(fèi)國之一，IGBT消費(fèi)市場(chǎng)高達(dá)約80億元。

作為新一代電力半導(dǎo)體器件，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，堪稱現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和綠色高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。從傳統(tǒng)的電力、機(jī)械、礦冶，到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，都有它的身影。IGBT模塊是高鐵列車牽引傳動(dòng)系統(tǒng)的核心部件，直接影響著高鐵列車的性能能 —— 能否瞬間起跑、舒適飛馳和穩(wěn)定停車。

如何解決IGBT模塊的散熱問題是技術(shù)突破的關(guān)鍵。以下總結(jié)了四種IGBT模塊散熱的方法：

1、提高IGBT模塊內(nèi)部的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能、耐受功率循環(huán)的能力， IGBT模塊內(nèi)部引線技術(shù)經(jīng)歷了粗鋁線鍵合、 鋁帶鍵合再到銅線鍵合的過程，提高了載流密度。

2、采用新的焊接工藝，傳統(tǒng)焊料為錫鉛合金， 成本低廉、工藝簡(jiǎn)單， 但存在環(huán)境污染問題， 且車用功率模塊的芯片溫度已經(jīng)接近錫鉛焊料熔點(diǎn)（220℃）。

3、改進(jìn)DBC和模塊底板，降低散熱熱阻， 提高熱可靠性， 減小體積，降低成本等。以 AlN 和 AlSiC 等材料取代 DBC 中的Al2O3和Si3N4等常規(guī)陶瓷，熱導(dǎo)率更高，與Si 材料的熱膨脹系數(shù)匹配更好。

4、擴(kuò)大模塊與散熱底板間的連接面積，如端子壓接技術(shù)。

用于控制IGBT模塊內(nèi)溫度的關(guān)鍵部分是NTC熱敏芯片，NTC芯片具有控制溫度和溫度補(bǔ)償?shù)墓δ?，愛晟電子自主研發(fā)、生產(chǎn)的IGBT用NTC熱敏芯片可用于邦定、焊接工藝，具有良好的耐熱循環(huán)能力，芯片尺寸及參數(shù)要求都可以根據(jù)客戶需求定制。了解關(guān)于更多NTC熱敏電阻請(qǐng)閱：http://m.dxshr.top/dt/show/1.html